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損傷のないガリウムヒ素量子ドットの形成に成功(高効率太陽電池の実現に期待)

JST 課題解決型基礎研究の一環として、東北大学 流体科学研究所の寒川誠二 教授らは、ガリウムヒ素基板の無損傷加工を実現し、バイオテンプレート技術と融合して高均一?高密度?無欠陥の円盤状ガリウムヒ素量子ドットを作製することに成功しました。

本研究により作製された高均一?高密度?無欠陥の円盤状ガリウムヒ素量子ドットは量子効果を発揮するための理想的な構造を実現できることから、量子ドット太陽電池あるいは量子ドットレーザーにおける量子ドット構造として極めて有望です。

本研究成果は、2010年9月22日から東京大学で開催される「2010 InternationalConference on Solid State Devices and Materials(SSDM2010)」で発表されます。

 

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[問い合わせ先]

<研究に関すること>

寒川 誠二

東北大学 流体科学研究所 教授

Tel:022-217-5240 、 Fax:022-217-5240

E-mail:samukawa*fs.tohoku.ac.jp  (* を @ に置き換えてください)

 

<JSTの事業に関すること>

河村 昌哉

科学技術振興機構 イノベーション推進本部 研究領域総合運営部

Tel:03-3512-3531 、 Fax:03-3222-2066

E-mail:crest*st.go.jp (*を@に置き換えて下さい)

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