国立大学法人東北大学 (総長：里見進/以下、東北大学) 省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター及び大学院工学研究科の遠藤哲郎教授と東北大学省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター及び電気通信研究所の大野英男教授のグループは、日本電気株式会社 (以下、ＮＥＣ) との産学連携研究により、スピントロニクス技術であるスピン注入磁化反転型磁気トンネル接合 (Magnetic Tunnel Junction; MTJ) デバイスとシリコン技術を組み合わせ、ロジック混載用の１Ｍ（メガ）ビット不揮発性メモリを開発しました。本メモリは、標準シリコンＣＭＯＳ回路上に東北大学で開発したＭＴＪ試作技術を用いて、３００ｍｍウエハー上に試作したＣＭＯＳ回路上に微細スピントロニクスデバイス部分を作製し、原理動作実証に成功したものです。このメモリは４個のトランジスタと２個のＭＴＪから構成される回路 (メモリセル) に１ビットの情報を記憶させ、待機時にはデータを不揮発性素子のＭＴＪにセーブして、全てのメモリセルの電源を落とすことにより（パワーオフ状態）、待機電力をゼロに出来ます。そして、１ナノ秒という世界最高速でパワーオフ状態から電源を立ち上げてデータを復帰させることが可能となり、混載されるロジックＬＳＩの要求に応じる高速アクセスを実現できることが確認されました。今回の成功は、大規模集積回路で今後ますます重要になる混載メモリを、その高速アクセス性能を保ったままで不揮発性化することで、システムＬＳＩの更なる高性能化ならびに超低消費電力化への道を大きく前進させました。

詳細（プレスリリース本文）

[お問い合わせ先]

東北大学　省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター支援室

室長　門脇　豊

TEL　022-217-6116

E-mail　sien*csis.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）