東北大学流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構の寒川誠二教授グループはこの度2020年頃に実用化される見通しにある12ナノメートル世代以降の超LSIデバイスに必要不可欠なゲルマニウムチャンネルＭＯＳトランジスタ製造プロセスにおけるゲート絶縁膜形成に、無損傷で低温酸化が実現できる中性粒子ビーム酸化プロセスを用いることで、困難であった2.0nm以下の極薄高品質ゲルマニウム酸化膜（EOT＜2.0nm）の直接形成を初めて実現し、電気的にMOSトランジスタ界面が超低界面準位であることを実証いたしました。

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流体融合研究センター知的ナノプロセス研究分野

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