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磁気モーメントの波を利用した低エネルギー磁化スイッチングに成功 ?超高密度磁気記憶デバイスの書き込み技術への展開に期待?

 東北大学金属材料研究所の高梨弘毅教授および関剛斎助教のグループは、慶應義塾大学理工学部の能崎幸雄准教授および産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センターの今村裕志研究チーム長との共同研究により、2つの異なる性質をもつ磁石をナノメートルの厚さ(ナノは10億分の1)で積層化することで、磁石の中に磁気モーメントの波を生成し、そのスピン波を利用して従来の10分の1という小さな磁場で磁化をスイッチングさせることに成功しました。

 

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<報道に関するお問い合わせ先>
東北大学金属材料研究所 総務課庶務係
〒980-8577 宮城県仙台市青葉区片平2-1-1
Tel:022-215-2181, Fax:022-215-2184
E-mail:imr-som*imr.tohoku.ac.jp(* を@に置き換えて下さい)
 

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