東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授は、東京大学のグループと共同で東京大学放射光アウトステーションにある三次元ナノESCAを用いて、動作中のグラフェントランジスタ（GFET）の電位のピンポイント測定に成功しました。ポストシリコン材料の一つであるグラフェンはシリコンと異なる物性を持つ為、GFETの実用化は困難でした。
　今回の結果はGFETの精密設計を可能にし、その実用化を大きく前進させるものです。

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東北大学電気通信研究所
准教授　吹留　博一
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