2014年 | プレスリリース?研究成果
GaN LEDおよびLD用新結晶ScAlMgO4開発 直径2インチ結晶引上げと画期的な劈開加工基板で実証
東北大学金属材料研究所と株式会社福田結晶技術研究所は共同で、GaNを主材料とする窒化物半導体からなる青色発光ダイオード（LED）及びブルーレイ用レーザの高性能化に向けた格子不整の小さい新しい基板ScAlMgO4（SCAM）とその適用性を確認しました。
SCAM結晶と基板
問い合わせ先
東北大学金属材料研究所
教授 松岡 隆志
TEL: 022-215-3067
E-mail: matsuoka*imr.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）