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新構造磁気メモリ素子を開発 ~スピン軌道トルク磁化反転の第3の方式の動作を実証~

内閣府 総合科学技術?イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)の佐橋政司プログラム?マネージャーの研究開発プログラム、および文部科学省「未来社会実現のためのICT基盤技術の研究開発」の一環として、東北大学電気通信研究所の大野英男教授(同大学省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター(以下、CSIS)?センター長、国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以下、CIES)?教授、原子分子材料科学高等研究機構?主任研究者兼任)、電気通信研究所の深見俊輔准教授(CSIS, CIES?准教授兼任)らは、超高速動作が可能な新方式の磁気メモリ素子を開発し、その動作実証に成功しました。

本研究成果は、2016年3月21日(英国時間)に英国科学誌「Nature Nanotechnology」のオンライン速報版で公開されました。

3種類のスピン軌道トルク磁化反転素子の構造。(a),(b): 既存構造。(c): 本研究で示されている新構造 595_194

詳細(プレスリリース本文)PDF

問い合わせ先

<研究に関すること>
深見 俊輔(フカミ シュンスケ)
東北大学 省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター
Tel:022-217-5555
Fax:022-217-5555
E-mail:s-fukami*csis.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)

<報道担当>
東北大学 電気通信研究所 総務係
Tel:022-217-5420
Fax:022-217-5420
E-mail:somu*riec.tohoku.ac.jp(*を@に置き換えてください)

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