2018定 | プレスリリ`ス?冩梢撹惚
メモリ?テスト?システムによる、 甘櫂薀鵐瀬?アクセス?メモリ(STT-MRAM)の スイッチング送y協室gを_羨 -アドバンテストとの慌揖冩梢、STT-MRAMの音措盾裂とg喘晒に寄きく念M-
‐古勣/
峺協忽羨寄僥隈繁|臼寄僥忽H鹿eエレクトロニクス冩梢_kセンタ`のh儲學隻センタ`L┝ 揖寄僥寄僥垪垢僥冩梢親縮娩、枠極スピントロニクス冩梢_kセンタ`弊順トップレベル冩梢泣険泣L、福エネルギ`?スピントロニクス鹿e晒システムセンタ`L、スピントロニクス僥gB亊冩梢縮圄センタ` 何TLのグル`プは、CIESコンソ`シアムでのb僥慌揖冩梢Kびに、親僥室g尅dC b僥慌プラットフォ`ム慌揖冩梢容MプログラムI囃y凄在h儲學隻において、幄塀氏芙アドバンテスト(旗燕函叨 惹 茂侑T芙L瑳弥 啓苧 云芙|奨脅認旗弥曝来の坪1供朕6桑2催 參和、アドバンテスト)と慌揖で、肝弊旗メモリとして豚棋される仝スピン廣秘侏甘櫂薀鵐瀬?アクセス?メモリ(STT-MRAM)々のメモリ?アレイ坪のスイッチング送を互娼業かつ互堀にy協する送y協モジュ`ルを_kし、アドバンテスト芙uのメモリ?テスト?システムを喘いてマイクロアンペアg了かつナノ昼g了でy協するg^gYに撹孔しました。
書指のg^gYの撹孔は、云僥忽H鹿eエレクトロニクス冩梢_kセンタ`待各CIESが容MするCIESコンソ`シアムKびに、|臼寄僥がヨ並Cvを佞瓠|臼寄僥?奨脅寄僥?表侘寄僥と枠M議二I蛤の薦をY鹿して、b僥慌プラットフォ`ムの侘撹を朕峺すOPERAにおける_k悶崙によるものです。
參貧の撹惚は、2018定10埖22晩゛24晩に鷲岬で_岸された忽H僥氏仝致忽沂徨僥氏(☆1) 音]k來メモリ室gシンポジウムIEEE Non-Volatile Memory Technology Symposium)々でk燕しました。
1STT-MRAMのuに喘いたメモリ?テスト?システムT5385ESとYh廠
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☆1致忽沂徨僥氏 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. 宥各 IEEE ┘▲?トリプル?イ`。致忽に云を崔く弊順恷寄の?徨室gにvする僥氏M。
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